Рентгеновская литография
Академик РАН
С.В. Гапонов
1937-2024
Член-корреспондент РАН
Н.Н. Салащенко
1941-2024
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

Рентгеновская литография

Рентгеновская литография

Создан экспериментальный стенд на длину волны 13,5 нм.
Впервые в России продемонстрировано разрешение проекционной рентгеновской литографии лучше 100 нм.


Рентгеновская литография Рентгеновская литография
Рентгеновская литография Рентгеновская литография

Вернуться в научные направления